Абстракт: Карбатның төп структурасы һәм эшче принцибы (Аппотектор) кертелгән, җайланманың структурасы эволюция процессы анализлана, хәзерге тикшеренү статусы йомгак ясала, һәм APD киләчәк үсеше перспективалы укыды.
1. Кереш
Фот -дестектор - җиңел сигналларны электр сигналларына әйләндерүче җайланма. АЯрымүткәргеч фотеметер, Ведомство фотоны дулкынландырган фото белән ясалган оператор тышкы схемага кертә һәм үлчәнә торган фоторент формалаштыра. Максималь җаваплылыкта да PIN PoPediod иң күп пар электрон тишек парларын гына җитештерә ала, бу эчке табышсыз җайланма. Зуррак җаваплылык өчен, кар көчләре фотоод (APD) кулланылырга мөмкин. Фото Билгеле шартларда тизлек тизләнешле электроннар һәм тишекләр такталар белән яңа пар электрон тишек парлар чыгару өчен бик аз энергия ала ала. Бу процесс - чылбыр реакциясе, шуңа күрә җиңел үзләштерү белән барлыкка килгән пар парорста парлы парлар күп санлы парлы парлар чыгарырга һәм зур икенчел фото формалаштырырга мөмкин. Шуңа күрә, APD зур җаваплылыгы һәм эчке табыш, бу җайланманың сигнал-шау-шу-шау-шу-шау-шу-шау-шу конфигурасын яхшырта. APD, нигездә, алдагы оптикаль көчтәге башка чикләүләр белән кулланылачак. Хәзерге вакытта бик оптим җайланма белгечләре аппедер перспективалары турында бик оптимистик, һәм APD тикшеренүләре бәйләнешле өлкәләрнең халыкара көндәшлелеген арттыру өчен кирәк дип саный.
2. Техник үсешКар көчләре Фотьютем(APD PhowdeteTor)
2.1 материаллар
(1)Си фотодетектор
SI матди технология - микроэлектроника өлкәсендә киң кулланылган җитлеккән техника, ләкин 1,31 мм һәм 1,555 мми, гадәттә оптик элемтә өлкәсендә кабул ителә.
(2) GE
GE APD-ның спектртраль җавапы түбән югалту һәм оптик җепселле тапшыру таләпләре өчен яраклы булса да, әзерлек процессында зур кыенлыклар бар. Моннан тыш, GE электрон һәм тишек ионизацияләү дәрәҗәсе якын () 1, шуңа күрә югары җитештерүчән аппресларын әзерләү кыен.
(3) in03ga0.47as / inp
Бу A03ga0.47As сайлау эффектив ысулы, APD APD һәм LILILER катламы буларак инп. 6.53га0.47AS материалның үз-үзен иң югары ноктасы 1,651м, 1.55 мм, 1,55 мм дулкын озынлыгы хәзерге вакытта җиңел детекторның үзләштерелгән материаллар өчен өстенлекле материал.
(4)Ingaas Phoweteteport/Фотьютель
Инкааспны җиңел сеңдерү һәм инсааспны сайлап, 1-1.4 мм. Төрле эретелгән компонентларны сайлап, махсус дулкын озынлыгы өчен иң яхшы спектакльгә ирешә.
5) Ингаас / иналас
20.52AL0.48AS материалның аерма бар (1.47ев) һәм 1,555 ммның дулкын озынлыгында сеңдерми. Нечкә эчендә нечкә.
(6) Ингаас / Ингаас (П) / Инсаас һәм Ингаас / (AL) Гааман / Иналаста
Материалларның йогынтысы IONЗИЗАЛИЗАЛЫ - APD эшчәнлегенә тәэсир итүче мөһим фактор. Нәтиҗә шуны күрсәтә: мультипликатор катламының Ингаас (П) / Иналалар һәм (AL) Гааман / Инсаассо Инсааста. СуперТлагица структурасын кулланып, асимметрик төркем кыры асмимтрик төркем кырын туктату белән капиталь рәвештә контрольдә тота ала, һәм континент төркеме арасындагы үткәрү төркеменең туктату парламенты белән күпкә зуррак (δe >> δев). Ингас Мульт материаллары, Ингаас / Иналас Квант белән чагыштырганда, ионизация темплары (а) сизелерлек арта, һәм электроннар һәм тишекләр өстәмә энергия ала. Δev >> δев, электрның энергиясе электрон ионизацияне арттырырлык, бер тишек энергиясенә караганда күпкә күбрәк (б) өлешен арттырырга мөмкин дип көтелә. Холе ионизация ставкасына электрон нисме (k). Шуңа күрә, югары табышлы киңлек киңлеге (GBW) һәм түбән тавыш спектаклен тулысынча суперлатица структураларын кулланып алырга мөмкин. Ләкин, бу Ингаша / Иналал Квант Совет Яхшы структурасы APD, ул К Кыйммәтен арттырырга мөмкин, оптик кабул итүчеләргә кагылу кыен. Чөнки максималь җаваплылыкка тәэсир итүче күпмилләтле фактор - караңгы ток белән чикләнгән, күптөрле тавыш белән чикләнә. Бу структурада караңгы ток, нигездә, Тарлык тасмасы белән яхшы катламның тоннелье эффекты белән килеп чыккан, шуңа күрә Ингаасп яки Иналгаас кебек киңлекнең дүртенче аермасы тудыру аркасында килеп чыккан, шулай итеп Ингаас Селлинг Структурасы Структурасы караңгы токны баса ала.
Пост вакыты: 13-2023