Фотоник интеграль интеграль схема материалларын чагыштыру

Фотоник интеграль интеграль схема материалларын чагыштыру
Рәсем 1 Ике материаль система, индивид фосфор (инп) һәм кремний (си) чагыштыруын күрсәтә. Id-ның сирәклеге сигә караганда кыйммәтрәк материал ясый. Силиконда нигезләнгән схемалар азрак эпитаксиаль үсешне үз эченә алганга, кремний нигезендәге схемалар уңыш гадәттәге схемалардан югарырак. Кремикон нигезендә схемаларда, гальумий (ге), гадәттә кулланылаФотьютель(яктылык детекторлары), эпитаксиаль үсүне таләп итә, инпиртлар системаларында, хәтта пассив дулкыннар да эпитаксиаль үсеше әзерләнергә тиеш. Эпитаксиаль үсеше ялгыз кристалл үсешенә караганда югарырак тыгызлыкка ия, мәсәлән, кристалл инготтан. INP WaveGueside-ны кире кайтару индексына ия, ә кремикон нигезендә дулкыннар да, кремрорга нигезләнгән җайланмаларның кечерәк бөкләнү радиоына һәм башка компакт структураларга ирешергә мөмкинлек бирә. Ингаасп туры төркемнең аермасы бар, си һәм GE. Нәтиҗәдә, InP материal системалары лазер эффективлыгы ягыннан өстен. INP системаларының эчке оксидлары тотрыклы һәм ныклы, семнион газид (SIO2) эчке оксидлар кебек тотрыклы һәм нык түгел. Кремний - IP-тан көчлерәк материал, зуррак вафер зурлыгын, ягъни 300 мм, тиздән 300 мм га кадәр күтәрелергә мөмкинлек бирә). InpМодульаторларГадәттә квант чикләнгән капчык эффектына бәйле, температурага сизгер, температура аркасында килеп чыккан төркем кыры хәрәкәте аркасында. Киресенчә, кремнийга нигезләнгән модуляторларның температурасы бик кечкенә.

Силикон Фотоника технологиясе, гадәттә, аз бәяле, кыска, югары күләмле продуктлар өчен яраклы булып санала (елына 1 миллионнан артык данә). Чөнки ул киң таралган, маска һәм үсеш чыгымнарын тарату өчен күп күләмдә сәхнә сыйдырышлыгы кирәк, һәм буСиликон Фотоника технологиясеШәһәр-шәһәр-шәһәрдә региональ һәм озын юл продуктларында булган кимчелекләр бар. Чынлыкта, киресенчә, киресенчә. Аз чыгып, кыска, югары юллы кушымталар, вертикаль куышлык өслеге лазеры (VCSER) һәмТуры модуляцияләнгән лазер (DML Лазер). Кремон фотоника технологиясен һәм санлы драйвод технологиясен һәм санлы сигнал эшкәртү (DSP) өстенлеге аркасында (алар еш кына югары температура шартларында еш) лазерны аеру файдасыз. Моннан тыш, круриент фотоника технологиясенең кимчелекләре зур күләмдә, эрификон фотосурәтләренең кимчелекләрен каплый ала, мәсәлән, кара ток җирле осилилатор фоторентыннан күпкә кечерәк. Шул ук вакытта маска һәм үсеш чыгымнарын каплау өчен күп күләмдә вафер сыйдырышлыгы кирәк дип уйлау да дөрес түгел дип уйлау да дөрес түгел, шуңа күрә кирәкле магньнәр һәм җитештерү йөге чагыштырмача арзан.