Идеаль сайлаулазер чыганагы: чит ярымүткәргеч лазер
1. Кереш сүз
Ярымүткәргеч лазерчиплар резонаторларның төрле җитештерү процесслары буенча кыр чыгаручы лазер чипларына (EEL) һәм вертикаль куыш өслегенә (VCSEL) бүленәләр, һәм аларның конкрет структур аермалары 1 нче рәсемдә күрсәтелгән. ярымүткәргеч лазер технологиясен чыгару тагын да җитлеккән, киң дулкын озынлыгы диапазоны беләнэлектро-оптикконверсия эффективлыгы, зур көч һәм башка өстенлекләр, лазер эшкәртү, оптик элемтә һәм башка өлкәләр өчен бик яраклы. Хәзерге вакытта ярымүткәргеч лазерлар оптоэлектроника индустриясенең мөһим өлеше булып тора, һәм аларның кулланылышы сәнәгать, телекоммуникация, фән, кулланучылар, хәрби һәм аэрокосмосны үз эченә ала. Технология үсеше һәм алга китүе белән, ярымүткәргеч лазерларның көче, ышанычлылыгы һәм энергия конверсия эффективлыгы шактый яхшырды, һәм аларны куллану перспективалары киңрәк.
Алга таба, мин сезне читтән чыгаруның уникаль сөйкемлелеген тагын да кадерләргә этәрерменярымүткәргеч лазерлар.
Рәсем 1 (сулда) ярымүткәргеч лазер чыгаручы һәм (уңда) вертикаль куыш өслеге лазер структурасы схемасы
2. Кыр читендәге ярымүткәргечнең эш принцибылазер
Кыр чыгаручы ярымүткәргеч лазер структурасын түбәндәге өч өлешкә бүлеп була: ярымүткәргеч актив төбәк, насос чыганагы һәм оптик резонатор. Вертикаль куышлык өслеген чыгаручы лазерларның резонаторларыннан аермалы буларак (алар өске һәм аскы Браг көзгеләреннән тора), читтән чыгаручы ярымүткәргеч лазер җайланмаларындагы резонаторлар, нигездә, ике яктан да оптик фильмнардан тора. Типик EEL җайланмасы структурасы һәм резонатор структурасы 2-нче рәсемдә күрсәтелгән. Кыр-эмиссия ярымүткәргеч лазер җайланмасындагы фотон резонаторда режим сайлау ярдәмендә көчәйтелә, һәм лазер субстрат өслегенә параллель юнәлештә формалаша. Кыр чыгаручы ярымүткәргеч лазер җайланмалары киң дулкын озынлыкларына ия һәм күп практик кушымталар өчен яраклы, шуңа күрә алар идеаль лазер чыганакларының берсенә әверелә.
Читтән чыгаручы ярымүткәргеч лазерларның эшне бәяләү индекслары башка ярымүткәргеч лазерларга да туры килә, шул исәптән: (1) лазер дулкын озынлыгы; (2) Бусага токы I, ягъни лазер диоды лазер осилинасын ясый башлаган ток; (3) Эш токы Iop, ягъни лазер диоды бәяләнгән чыгару көченә җиткәч, бу параметр лазер саклагыч схемасын проектлау һәм модуляцияләү өчен кулланыла; 4) Тау эффективлыгы; (5) Вертикаль аерма почмагы θ⊥; (6) Горизонталь аерма почмагы θ∥; (7) Агымдагы Im, ягъни ярымүткәргеч лазер чипының бәяләнгән чыгару көчендә хәзерге зурлыгын күзәтегез.
3. GaAs һәм GaN ярымүткәргеч лазерлар чыгаручы кырның тикшеренү барышы
GaAs ярымүткәргеч материалына нигезләнгән ярымүткәргеч лазер - иң җитлеккән ярымүткәргеч лазер технологияләренең берсе. Хәзерге вакытта GAAS нигезендә инфракызыл полоса (760-1060 нм) читтән чыгаручы ярымүткәргеч лазерлар коммерциядә киң кулланылды. Si һәм GaAлардан соң өченче буын ярымүткәргеч материал буларак, GaN физик һәм химик үзенчәлекләре аркасында фәнни тикшеренүләр һәм сәнәгатьтә киң борчыла. GAN нигезендәге оптоэлектрон җайланмалар үсеше һәм тикшерүчеләр тырышлыгы белән, GAN нигезендә яктылык җибәрүче диодлар һәм читтән чыгаручы лазерлар индустриальләштерелде.
Пост вакыты: 16-2024 гыйнвар