Highereгары тизлекле фотодетекторлар Интаас Фотогекторлар белән кертелгән

Highгары тизлекле фотодетерлар белән кертеләИнтаас фотемордлары

Highгары тизлек фотосыОптик аралашу өлкәсендә, нигездә III-V Ингаас Фотедетекторлар һәм IV тулы Si GE / GE /Си фотодетекторлар. Элеккеге инфракызыл детекторның традицион чите белән, озак еллар өстенлек итә, соңгысы соңгы елларда кремний оптик технологияләргә таяна, һәм соңгы елларда халыкара оптолептроника фәннәре тикшерүдә кайнар урын. Моннан тыш, Перовскит, органик һәм ике үлчәмле материалларга нигезләнгән яңа детекторлар җиңел эшкәртү, яхшы сыгылучылык һәм көйләнә торган үзенчәлекләр аркасында тиз үсә. Бу яңа детекторлар һәм традицион кораллар арасында материаль үзенчәлекләр һәм җитештерү процессларында зур аерма бар. Перовскит детекторларының яхшы үзара арендаторлары транспорт сәләте бар, органик материаллар детекторлары, ике үлчәмле материаллар өчен киң кулланыла, һәм аларның уникаль физик үзлекләре һәм югары ташучы хәрәкәте аркасында зур игътибар җәлеп иттеләр. Ләкин, Ингаас һәм Си / GE GE GE GE GE GE GE GE GE GE GE GO белән чагыштырганда, яңа детекторлар әле озак вакытлы тотрыклылык, җитлеккәнлек һәм интеграция аркасында чагыштырырга тиеш.

Ингаас - югары тизлекне һәм югары җаваплы фотодетекторларны тормышка ашыру өчен идеаль материалларның берсе. Беренчедән, Инга туры бандгап ярымүткәргеч материалы, һәм аның бандагы киңлеге төрле дулкын озынлыкларының оптик сигналларын ачыклау өчен. Алар арасында, 9.53га0.47AS INP субструктлылыгы белән бик яхшы туры килә, һәм оптик элемтә коллегендә зур җиңеллек коэффициенты әзерләнгәндә иң киң кулланылаФотудетекторлар, һәм кара ток һәм җаваплылык күрсәткечләре дә иң яхшысы. Икенчедән, Ингаас һәм Инп Кораллары икесенең дә югары электрон дрифт тизлеге бар, һәм аларның туенган электрон дрифт тизлеге якынча 1 × 107 см / с. Шул ук вакытта, Ингас һәм Инп материаллары махсус электр кыры астында электрон тизлек ноктасына ия. Ароту тизлеге 4 × 107cm / S һәм 6 × 107cm / S дип бүлеп була, алар зуррак оператор вакытын чикләүче киңлек киңлеген тормышка ашырырга ярдәм итә. Хәзерге вакытта Оптик аралашу өчен Ингас фоторы, һәм Surfaceир өстендәге каплау ысулы күбесенчә базарда кулланыла, һәм 25 ГБУд / с һәм 56 GBaud / Surpte Endportifor продуктлары тормышка ашырылды. Кечкенә размер, арткы зурлык һәм зур күләмле киңлекләр өслеге детективлары эшләнде, алар, нигездә, югары тизлектә һәм югары туену кушымталары өчен яраклы. Ләкин, җир өстендәге вакыйга аның кушылу режимы белән чикләнә һәм башка оптоэлектрон җайланмалар белән интеграцияләү кыен. Шуңа күрә оптоэлектрон интеграция таләпләрен яхшырту белән Интаасуид белән яхшы спектакльләр белән тулы спектакльләр, коммерция 70 ГГц Ингага фотопобе модуллары барысы да диярлек дулкындагы ике структуралар куллана. Төрле субстрат материаллар буенча, дулкынландыргыч инкаас фотоэлектрик тикшеренү ике категориягә бүленә: инп һәм си. INP субматта эпитаксиал материалы югары сыйфатлы һәм югары җитештерү җайланмаларын әзерләү өчен яраклы. Ләкин, III-V материаллары арасында төрле бәйләнешләр, Si портстирларда үскән яки бәйләнгән төрле кораллар чагыштырмача начар материалга яки интерфейс сыйфатына китерә, һәм җайланманың үтәлеше яхшырту өчен зур бүлмә ия.