Speedгары тизлекле фотодетекторлар кертеләInGaAs фотодетекторлары
Speedгары тизлекле фотодетекторлароптик элемтә өлкәсендә, нигездә, III-V InGaAs фотодетекторлары һәм IV тулы Si һәм Ge /Si фотодетекторлар. Беренчесе - традицион инфра-кызыл детектор, ул озак вакыт доминант булып тора, соңгысы кремний оптик технологиясенә таянып, йолдыз булып китә, һәм соңгы елларда халыкара оптоэлектроника тикшеренүләре өлкәсендә кайнар урын. Моннан тыш, перовскит, органик һәм ике үлчәмле материалларга нигезләнгән яңа детекторлар җиңел эшкәртү өстенлекләре, яхшы сыгылучылык һәм көйләнә торган үзенчәлекләр аркасында тиз үсә. Бу яңа детекторлар белән традицион органик булмаган фотодетекторлар арасында матди үзлекләрдә һәм җитештерү процессларында зур аермалар бар. Перовскит детекторлары яктылыкны үзләштерүнең яхшы характеристикасына һәм эффектив корылма транспорт сыйдырышлыгына ия, органик материал детекторлары аз бәяле һәм сыгылмалы электроннар өчен киң кулланыла, һәм ике үлчәмле материал детекторлары уникаль физик үзлекләре һәм югары йөртүче хәрәкәте аркасында зур игътибар җәлеп иттеләр. Ләкин, InGaAs һәм Si / Ge детекторлары белән чагыштырганда, яңа детекторларны озак вакытлы тотрыклылык, җитештерү җитлеккәнлеге һәм интеграция ягыннан яхшыртырга кирәк.
InGaAs - югары тизлекне һәм югары реакцияле фотодетекторларны тормышка ашыру өчен идеаль материалларның берсе. Беренчедән, InGaAs - туры үткәргеч ярымүткәргеч материал, һәм аның полоса киңлеге төрле дулкын озынлыкларының оптик сигналларын ачыклауга ирешү өчен In һәм Ga арасындагы нисбәт белән көйләнә ала. Алар арасында In0.53Ga0.47As InP субстрат тактасы белән бик яхшы туры килә, һәм оптик элемтә полосасында зур яктылык үзләштерү коэффициенты бар, бу әзерләүдә иң киң кулланылган.фотодетекторлар, һәм караңгы ток һәм җаваплылык күрсәткечләре дә иң яхшысы. Икенчедән, InGaAs һәм InP материалларының икесе дә югары электрон дрифт тизлегенә ия, һәм аларның туенган электрон дрифт тизлеге якынча 1 × 107 см / с. Шул ук вакытта, InGaAs һәм InP материаллары махсус электр кыры астында электрон тизлекне арттыру эффектына ия. Чиктән тыш тизлекне 4 × 107см / с һәм 6 × 107см / ска бүлеп була, бу зуррак операторның вакыты чикләнгән киңлекне тормышка ашыру өчен уңайлы. Хәзерге вакытта, InGaAs фотодетекторы - оптик элемтә өчен иң төп фотодетектор, һәм өслектә очракларны тоташтыру ысулы күбесенчә базарда кулланыла, һәм 25 Gbaud / s һәм 56 Gbaud / s өслек очракларын детектор продуктлары тормышка ашырылды. Кечкенә зурлык, арткы очраклар һәм зур киңлек киңлеге интектив детекторлары да эшләнде, алар нигездә югары тизлек һәм югары туендыру кушымталары өчен яраклы. Ләкин, өслек вакыйгаларын тикшерү аның кушылу режимы белән чикләнгән һәм башка оптоэлектрон җайланмалар белән интеграцияләү кыен. Шуңа күрә, оптоэлектрон интеграция таләпләрен камилләштерү белән, дулкынландыргыч белән эшләнгән InGaAs фотодетекторлары яхшы җитештерүчәнлек һәм интеграция өчен яраклы акрынлап тикшеренү үзәгенә әверелде, алар арасында коммерция 70 ГГц һәм 110 ГГц InGaAs фотопроб модуллары барысы да диярлек дулкынлы кушылган структуралар кулланалар. Төрле субстрат материаллар буенча, InGaAs фотоэлектрик зонасын тоташтыручы дулкын саклагычын ике категориягә бүлеп була: InP һәм Si. InP субстратындагы эпитаксиаль материал югары сыйфатлы һәм югары җитештерүчән җайланмалар әзерләү өчен кулайрак. Ләкин, III-V материаллары, InGaAs материаллары һәм Si субстратларында үскән яки бәйләнгән Si субстратлары арасында төрле туры килмәүләр чагыштырмача начар материал яки интерфейс сыйфаты китерә, һәм җайланманың эшләвен яхшырту өчен зур урын бар.
Пост вакыты: 31-2024 декабрь