Кыр нурландыручы лазер (КСЛ) белән таныштыру
Югары куәтле ярымүткәргеч лазер чыгару өчен, хәзерге технология кырыйлы эмиссия структурасын кулланудан гыйбарәт. Кырыйлы эмиссияле ярымүткәргеч лазерның резонаторы ярымүткәргеч кристалның табигый диссоциация өслегеннән тора, һәм чыгу нуры лазерның алгы очыннан чыгарыла. Кырыйлы эмиссияле ярымүткәргеч лазер югары куәт чыгаруга ирешә ала, ләкин аның чыгу ноктасы эллиптик, нур сыйфаты начар, һәм нур формасын нур формалаштыру системасы белән үзгәртергә кирәк.
Түбәндәге диаграммада кырый нурландыручы ярымүткәргеч лазерның структурасы күрсәтелгән. EEL оптик куышлыгы ярымүткәргеч чип өслегенә параллель урнашкан һәм ярымүткәргеч чип кырыенда лазер нурын чыгара, бу лазер чыгышын югары көч, югары тизлек һәм түбән шау белән гамәлгә ашыра ала. Ләкин, EEL тарафыннан чыгарылган лазер нуры, гадәттә, асимметрик нур кисемтәсенә һәм зур почмак дивергенциясенә ия, һәм җепсел яки башка оптик компонентлар белән тоташтыру нәтиҗәлелеге түбән.
EEL чыгыш көченең артуы актив өлкәдә калдык җылылык туплану һәм ярымүткәргеч өслегендәге оптик зыян белән чикләнә. Җылылык таратуны яхшырту өчен актив өлкәдә калдык җылылык туплануын киметү максатыннан дулкынүткәргеч мәйданын арттыру, оптик зыянны булдырмас өчен нурның оптик көче тыгызлыгын киметү максатыннан яктылык чыгару мәйданын арттыру юлы белән бер аркылы режимлы дулкынүткәргеч структурасында берничә йөз милливаттка кадәр чыгыш көчен алырга мөмкин.
100 мм дулкын үткәргеч өчен бер кырый нурландыргыч лазер дистәләгән ватт чыгыш көченә ирешә ала, ләкин бу вакытта дулкын үткәргеч чип яссылыгында бик күп режимлы, һәм чыгыш нурының аспект нисбәте дә 100:1 гә җитә, бу катлаулы нур формалаштыру системасын таләп итә.
Материал технологиясендә һәм эпитаксиаль үсеш технологиясендә яңа ачыш булмавын исәпкә алып, бер ярымүткәргеч лазер чипының чыгыш көчен яхшыртуның төп ысулы - чипның яктырту өлкәсенең тасма киңлеген арттыру. Ләкин, тасма киңлеген артык зурайту аркылы югары тәртип режимындагы тирбәнеш һәм җепсыман тирбәнеш тудырырга мөмкин, бу яктылык чыгаруның бердәмлеген сизелерлек киметәчәк, һәм чыгу көче тасма киңлегенә пропорциональ рәвештә артмый, шуңа күрә бер чипның чыгу көче бик чикләнгән. Чыгыш көчен сизелерлек яхшырту өчен, массив технологиясе барлыкка килә. Технология бер үк субстратта берничә лазер җайланмасын берләштерә, шуңа күрә һәр яктылык чыгаручы җайланма әкрен күчәр юнәлешендә бер үлчәмле массив буларак тезелә, оптик изоляция технологиясе массивтагы һәр яктылык чыгаручы җайланманы аеру өчен кулланылган очракта, алар бер-берсенә комачауламасын өчен, күп диафрагмалы лазер формалаштырылса, сез интеграцияләнгән яктылык чыгаручы җайланмалар санын арттырып, бөтен чипның чыгыш көчен арттыра аласыз. Бу ярымүткәргеч лазер чипы - ярымүткәргеч лазер массивы (LDA) чипы, ул шулай ук ярымүткәргеч лазер тактасы дип тә атала.
Бастырылган вакыты: 2024 елның 3 июне