Кыр чыгару лазеры белән таныштыру (EEL)
Powerгары көчле ярымүткәргеч лазер чыгару өчен, хәзерге технология - читтән чыгару структурасын куллану. Кыр чыгаручы ярымүткәргеч лазерның резонаторы ярымүткәргеч кристаллның табигый аерылу өслегеннән тора, һәм чыгу нуры лазерның алгы очыннан чыгарыла. Кыр-эмиссия тибындагы ярымүткәргеч лазер югары энергия чыганагына ирешә ала, ләкин аның чыгу урыны эллиптик, нур формасы үзгәртелергә тиеш.
Түбәндәге диаграммада кыр чыгаручы ярымүткәргеч лазер структурасы күрсәтелгән. EEL оптик куышлыгы ярымүткәргеч чип өслегенә параллель һәм ярымүткәргеч чип читендә лазер чыгара, ул лазер чыганагын югары көч, югары тизлек һәм түбән тавыш белән тормышка ашыра ала. Ләкин, EEL тарафыннан лазер нуры, гадәттә, асимметрик нур кисемтәсе һәм зур почмак аермасы бар, һәм җепсел яки башка оптик компонентлар белән тоташу эффективлыгы түбән.
EEL чыгару көченең актив төбәктә калдык җылылыгы туплануы һәм ярымүткәргеч өслегендә оптик зыян белән чикләнә. Актив төбәктә калдыкларның җылылык туплануын киметү өчен, дулкын саклагыч мәйданын арттырып, оптик зыяннан саклану өчен нурның оптик энергия тыгызлыгын киметү өчен яктылык чыгу мәйданын арттырып, бер трансверс режимда дулкын саклагыч структурасында берничә йөз милливаттка кадәр чыгару көченә ирешергә мөмкин.
100 мм дулкынландыргыч өчен, бер читтән чыгаручы лазер дистәләрчә ват чыгару көченә ирешә ала, ләкин бу вакытта дулкын саклагыч чип яссылыгында бик күп режимлы, һәм чыгу нуры аспектлары 100: 1 тә җитә, катлаулы нур формалаштыру системасын таләп итә.
Материаль технологияләрдә һәм эпитаксиаль үсеш технологиясендә яңа алгарыш юк дигән сүз белән, бер ярымүткәргеч лазер чипның чыгару көчен яхшырту өчен төп ысул - чипның якты төбәгенең полосасы киңлеген арттыру. Ләкин, полосаның киңлеген арттыру бик югары тәртипле режимда осылу һәм филамент сыман осилина ясау җиңел, бу яктылыкның бердәмлеген сизелерлек киметәчәк, һәм чыгу көче полоса киңлеге белән пропорциональ артмый, шуңа күрә бер чипның чыгару көче чикле. Чыгыш көчен шактый яхшырту өчен, массив технологиясе барлыкка килә. Технология бер үк субстратта берничә лазер берәмлеген берләштерә, шулай итеп һәр яктылык җибәрүче берәмлек әкрен күчәр юнәлешендә бер үлчәмле массив булып тезелеп тора, оптик изоляция технологиясе һәр яктылык җибәрүче берәмлекне массивда аеру өчен кулланылса, алар бер-берсенә комачауламаслар, күп державалы лизингны барлыкка китереп, сез бөтен чипның чыгару көчен арттырырсыз. Бу ярымүткәргеч лазер чип - ярымүткәргеч лазер массивы (LDA) чип, ул шулай ук ярымүткәргеч лазер тактасы буларак та билгеле.
Пост вакыты: июнь-03-2024