Тикшеренү барышыInGaAs фотодетектор
Элемтә мәгълүматларын тапшыру күләменең экспоненциаль үсеше белән, оптик үзара бәйләнеш технологиясе традицион электр үзара бәйләнеш технологиясен алыштырды һәм урта һәм ерак араларда аз югалтулы югары тизлекле тапшыру өчен төп технологиягә әйләнде. Оптик кабул итүнең төп компоненты буларак ,.фотодетекторюгары тизлектә эшләве өчен көннән-көн югарырак таләпләргә ия. Алар арасында дулкын саклаучы кушылган фотодетектор зурлыгы кечкенә, киңлек киңлеге һәм югары тизлекле фотодетекциянең тикшеренү юнәлеше булган башка оптоэлектрон җайланмалар белән чипта интеграцияләнү җиңел. һәм инфракызыл элемтә полосасында иң вәкил фотодетекторлар.
InGaAs - югары тизлеккә ирешү өчен идеаль материалларның берсе һәмюгары реакцияле фотодетекторлар. Беренчедән, InGaAs - туры үткәргеч ярымүткәргеч материал, һәм аның полоса киңлеге In һәм Ga нисбәте белән көйләнә ала, төрле дулкын озынлыкларының оптик сигналларын ачыкларга мөмкинлек бирә. Алар арасында In0.53Ga0.47As InP субстрат тактасы белән бик яхшы туры килә һәм оптик элемтә полосасында бик югары яктылык үзләштерү коэффициентына ия. Бу фотодетектор әзерләгәндә иң киң кулланыла, шулай ук иң күренекле караңгы ток һәм җаваплылык күрсәткечләренә ия. Икенчедән, InGaAs да, InP материаллары да чагыштырмача югары электрон дрифт тизлекләренә ия, аларның туенган электрон дрифт тизлеге якынча 1 × 107см / с. Шул ук вакытта, махсус электр кырлары астында, InGaAs һәм InP материаллары электрон тизлекнең чиктән тыш эффектларын күрсәтәләр, аларның артык тизлеге тиешенчә 4 × 107см / с һәм 6 × 107см / с. Higherгары кисешү киңлегенә ирешү өчен уңайлы. Хәзерге вакытта InGaAs фотодетекторлары оптик элемтә өчен иң төп фотодетекторлар. Кечкенә размерлы, арткы вакыйга, һәм югары киңлектәге өслек вакыйгалары детекторлары да эшләнде, күбесенчә югары тизлек һәм югары туену кебек кушымталарда кулланыла.
Ләкин, аларның кушылу ысулларының чикләнүе аркасында, өске вакыйгалар детекторларын башка оптоэлектрон җайланмалар белән интеграцияләү кыен. Шуңа күрә, оптоэлектрон интеграциягә сорау арту белән, InGaAs фотодетекторлары кушылган һәм интеграция өчен яраклы дулкынландыргыч акрынлап тикшеренү үзәгенә әверелде. Алар арасында, 70GHz һәм 110GHz коммерция InGaAs фотодетектор модуллары барысы да диярлек дулкынландыргыч кушылу структураларын кабул итәләр. Субстрат материалларның аермасы буенча, InGaAs фотодетекторлары кушылган дулкын саклагычлары нигездә ике төргә бүленә ала: INP нигезендә һәм Si нигезендә. InP субстратларында эпитаксиаль материал югары сыйфатлы һәм югары җитештерүчән җайланмалар ясау өчен кулайрак. Ләкин, Si субстратларында үскән яки бәйләнгән III-V төркем материаллары өчен, InGaAs материаллары һәм Si субстратлары арасында төрле туры килмәү аркасында, материал яки интерфейс сыйфаты чагыштырмача начар, һәм җайланмаларның эшләвен яхшырту өчен шактый урын бар.
Deviceайланма InP урынына InGaAsP куллана, бетү өлкәсе материалы. Электроннарның туену дрифт тизлеген билгеле бер дәрәҗәгә киметсә дә, вакыйга яктылыгын дулкын саклагычыннан үзләштерү өлкәсенә кушуны яхшырта. Шул ук вакытта, InGaAsP N тибындагы контакт катламы бетерелә, һәм P тибындагы өслекнең һәр ягында кечкенә аерма барлыкка килә, яктылык кырындагы чикләнүне көчәйтә. Бу җайланмага югары җаваплылыкка ирешү өчен уңайлы.
Пост вакыты: 28-2025 июль