Кремний нигезендә оптоэлектроника, кремний кремнитестесторлар өчен
ФотудетекторларЯктылык сигналларын электр сигналларына әйләндерегез, һәм мәгълүмат тапшыру ставкалары яхшырту, югары тизлекле фотодетекторлар яхшыруны дәвам итәләр, киләсе буын мәгълүмат үзәкләре һәм телекоммуникация челтәрләре ачкычы булды. Бу мәкалә кремний урнашкан герумумга басым ясап, алдынгы югары тизлекле докторларга күзалланачак (ге яки si dofteTor)Кремний Фотайдетекторларинтеграль оптоэлектроника технологиясе өчен.
Германий кремний платформаларында инфракызыл яктылык ачыклау өчен кызыклы материал, чөнки ул CMOS процесслары белән туры килә һәм тәҗрибә дулкын озынлыгында бик көчле үзара үзләштерү. Иң еш очрый торган GE / SI Dofteport структурасы - PIN Diod, эчке геряний P-Typ һәм N-типтагы төбәкләр арасында сандугач.
Җайланма структурасы 1 нче рәсемдә типик вертикаль PIN күрсәтә якиСи фотодетекторСтруктурасы:
Төп үзенчәлекләрне үз эченә ала: кремний субстратта үстергән катлам; P һәм N Cracted Chargakarta Carriers контактларын җыю өчен кулланыла; Эффектив яктылык үзләштерү өчен дулкынлык.
Эпитаксиаль үсеше: Кремний кремнийда югары сыйфатлы германь ике материал арасындагы туры килмәү аркасында авыр. Ике адымлы үсеш процессы гадәттә кулланыла: түбән температура (300-400 ° C) Баффер катламы үсеш һәм германийның 600 ° C). Бу ысул тетрәнү өземтәләре белән туры килмәгән өзекләрне контрольдә тотарга ярдәм итә. 800-900 ° Cда үсештән соң аннеаллау 10 ^ 7 см ^ -2гә кадәр җепле утырту тыгызлыгын тагын да киметә. Эшчәнлек үзенчәлекләре: Иң алдынгы GE / SI PIN PhoweTeteltorка ирешә ала: җаваплылыгы,> 0.8a / w 1550 NMда; Киңлек киңлеге,> 60 ghz; Караңгы ток, <rana μa -1 v bias.
Кремний нигезендә оптоэлектив платформалар белән интеграция
ИнтеграцияләүHighгары тизлек фотосыКремний нигезендә оптогроника платформалары алдынгы оптик транскираларны һәм үзара бәйләнешләр бирә. Ике төп интеграция ысуллары түбәндәгечә: алдагы соңгы интеграцияләү (Фельнә), анда фотодетектор һәм транзистор бер үк вакытта кремний субстратында югары температураны эшкәртүгә юл куялар, ләкин чип урынын алу. Арткы интеграция (Белар). Фотоварлар методе өстендә җитештерелә, CMOS белән комачауламас өчен, ләкин эшкәртү температурасы белән чикләнәләр.
Рәсем 2: Highгары тизлек ге / SI фотодетекторының җаваплылыгы һәм предметлары
Мәгълүмат үзәге кушымтасы
Highгары тизлекле фотодетерлар - киләсе буында мәгълүмат үзәгендә төп компонент. Төп гаризалар керә: оптик трансциверлар: PAM-4 модуляциясе ярдәмендә оптик трансциверлар: 100г, 400г һәм югары дәрәҗәдә; АMighгары киңлек киңлеге фотосы(> 50 гц) кирәк.
Кремний нигезендә оптоэлектрон интеграль интегрейт: Модулятор һәм башка компонентлар белән монолит интеграциясе; Компакт, югары җитештерүчән оптик двигатель.
Таратылган архитектура: таратылган исәпләү, саклау, саклау арасында оптик әдәпсезлек; Энергияне эффектив, югары киңлек костюмфекторларына сорау.
Киләчәк караш
Оптоэлектрон югары тизлекле югары тизлекле югары тизлекле югары тизлекле фотодетекторларның киләчәге түбәндәге тенденцияләрне күрсәтәчәк:
Higherгары мәгълүмат ставкалары: 800г һәм 1.6T Трансзерчылар үсешен йөртү; Фотудеткаларда 100 гздан зуррак урын кирәк.
Яхшыртылган интеграция: III-V материal һәм кремнийның бер чипсен интеграциясе; Алга киткән 3D интеграция технологиясе.
Яңа материаллар: USTRASRAFT нурын ачыклау өчен ике үлчәмле материалларны куллану; Озын дулкын озынлыгы өчен яңа төркем IV аллой.
Эмерияле кушымталар: Лидар һәм башка сизү кушымталары APD үсешен алып бара; Микродулкынлы фотон гаризалар югары сызыклы фотодетекторлар таләп итә.
Highгары тизлек фотошетлар, аеруча ge яки si костюметрының төп йөртүчесе булып, кремнийондагы оптоэлектроника һәм киләсе буын оптик элемтәдә төп йөртүче булып киттеләр. Материаллар, җайланмаларның дизайны, интеграция технологияләре булачак мәгълүмат үзәкләренең һәм телекоммуникация челтәрләренең үсү киңлеге белән очрашу өчен мөһим. Кыр үсешен дәвам иткәндә, без фотоседетекторларны электрон һәм фотоник схемалар белән югарырак киңлек киңлек, аскы шау-шу, тәнкыйтьсез интеграция белән башлый алабыз.
Пост вакыты: Ян-20-2025