СтруктурасыIngaas Phoweteteport
1980 елдан башлап өйдәге тикшерүчеләр, чит илләрдә тикшерүчеләр Ингас фотосдестекторларының структурасын өйрәнделәр, нигездә, өч төргә бүленә. Алар Ингаас металл-ярымүткәргеч-металл фотодетектор (MSM-PD), Ингаас Пин Фотеметектор (PIN-PD), Inиндас Карнханеш Фотьютемектор (APD-PD). Төрле структуралар белән Инсаас фотордетникларында тагын да аерма бар, һәм Deviceайланма эшендә дә зур аермалар бар.
Ингаас металл-ярымүткәргеч-металлФотьютель, Рәсем (а) фигурасында күрсәтелгән, Шоттки чишелешкә нигезләнгән махсус структура. 1992-нче елда Ши Эт. эпитакси катламнарын түбән кулланган һәм Ингаас MSM PhareTeetkel куллану өчен (LP MS / w "якынча 1,6 па / μm²) 1996-нчы елда 1,5 П. Кулланылган газ эпасе эпитакси (GSMbe) Инала-Ингаас-Эпитакси катламын үстерү өчен кулланыла. Каты катлам характеристикаларын күрсәтте, һәм үсеш шартлары X-ray диффракция үлчәү белән оптимальләштеләр, шулай итеп Ингаас белән инсаол катламнары арасында тәкәбберлек 1 × 10⁻³ диапазонында иде. Бу дүрт катлы DES / μM²-тан түбән кара ток белән оптимальләштерелгән җайланма эшенә китерә, ләкин түбән караңгы ток (PA заказы), шуңа күрә металл электродның эффектив булуын киметәчәк, шуңа күрә җавап башка структуралардан түбән.
Ингаас Пин Фотетектор П-тип контакт катламы һәм N-Typet контакт катламы, шулай итеп (б) Рәсемдә, шулай итеп күбрәк электрон тишек парларын ныгытып, зуррак фотоатрив формалаштыручы, шуңа күрә аның искиткеч электрон үткәргеч күрсәткечләре бар. 2007 елда А.Полокзек һ.б. Soрнәк тупаслыгын яхшырту һәм теге белән тимонлы тәкәбберлек белән каплау өчен аз температура буфер катламын үстерү өчен кулланылган MBE кулланылган. MOCVD инсаас пин структурасын интеграцияләү өчен кулланылган, һәм җайланманың җаваплылыгы якынча 0,57а / W. 2011-нче елда армия тикшерүче лабораториясе (ALR) PIN RoteDeTetell кулланган, аз чыгымлы микроды амплициеры өчен кыскача максатсыз ачыклау / ачыклау, бу Инга-шау-шу-шау-шу-шау-шу-шау-шу-шау-шу-шау-шу-шау-шу-шу-шу-шу-шу-шау-шу күтәренү. Бу нигездә, 2012-нче елда ALR бу Лидар ядрәдә тамашачыны роботлар өчен кулланды, 50 мнан артык 256 × 128 резолюциясе белән.
ИнгасКар көчләре ФотьютемТабыш белән фотодетер ролен, аның структурасы рәсемдә күрсәтелгән (в) күрсәтелә. Электрон тишек парлары аерым өлкә эчендә бушлай энергия ала, шуңа күрә атом белән бәрелешләр, яңа электрон тишек парлары, кардан эффект тудыра, һәм материал булмаган тигез булмаган операторларны материал белән арттыралар. 2013-нче елда Джордж М Тәртип субстратындагы Инсаас белән туры килер өчен, эпитаксаль катион калынлыгы, һәм тишек ионизациясен киметкәндә, Опосхок ионизациясен максимальләштерү өчен, Осадица катьеры энергиясен куллану өчен. Эквивалент җитештерү сигнал табышында апад аскы шау-шу һәм түбән кара ток күрсәтә. 2016-нчы елда, Кояш Jianfeng et. Ингаш карамьесендәге эксперименталь платформаны актив сурәтләү 1570 нм лазерны актив сурәтләү. Эчке схемаАппотекторЭхо һәм турыдан-туры санлы сигналлар, бөтен җайланма компакт ясау. Эксперименталь нәтиҗәләр рәсемдә күрсәтелгән. г) һәм (д). Рәсем (D) - сурәтләү максатының физик фотосы, һәм фигуралы (E) - өч үлчәмле дистанцион образ. C өлкәсенең тәрәзә мәйданы A һәм б өлкәдә билгеле бер тирән дистанциядә булуын ачык күрергә мөмкин. Платформа 10 ns-тан кимрәк, бер тапкыр импульс киңлеген тормышка ашыра (1 ~ 3) MJ көйләнә, 2 ° 2 °. APDның эчке юнәлеше, тиз җавап, компакт зурлыгы, капиталы роторпорлар, app PhoneTetels, шуңа күрә хәзерге төп төп форма, нигездә, төп төп фотодетекторлар өстенлек итә.
Гомумән, өйдә һәм чит илләрдә Инса әзерләү технологияләренең тиз үсеше белән, без MBE, MOCVD, LPE һәм башка технологияләрне интерпер һәм башка сыйфатлы Инка эпитаксиаль субстратта оста куллана алабыз. Ингас фотемордлары түбән караңгы агым һәм югары квадратлар күрсәтелә, иң түбән караңгы ток 0,75 па / μм²дан түбән, максималь җаваплылык 0,57 A / W га кадәр, һәм тиз вакытлы җавап (PS заказы). Инкаас фотосетларының киләчәктә үсеше түбәндәге ике аспектка игътибар итәчәк: (1) Ингаас эпитаксиаль катлам турыдан-туры си субстратта үсә. Хәзерге вакытта базардагы микроэлектрон җайланмаларның күбесе югары, һәм Ингага һәм SI нигезендә интегрезгәрәк үсеш. Такталицаның туры килмәве һәм җылылык киңәюе тиресенең ингас / си өйрәнү өчен бик мөһим проблемаларны чишү мөһим; (2) 1550 Нм дулкынлык озынлыгы җитлеккән, һәм киңәйтелгән дулкын озынлыгы (2.0 ~ 25) μM Киләчәк тикшеренү юнәлеше. Компонентларның артуы белән типтагы субстрат һәм Инга асылмасы арасындагы тәкәбберлек туры килмәвенә китерәчәк, шуңа күрә җайланма процессы параметрларын оптимальләштерергә, токны кара токны киметергә кирәк.
Пост вакыты: Май-06-2024